AOD11S60

AOS | FET - 单

制造厂商：AOS（万代半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 11A TO252

原厂封装：TO-252-3，DPak

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AOS万代半导体公司完整型号: AOD11S60

制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 11A TO252

系列: aMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 399 毫欧 @ 3.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 545pF @ 100V

功率 - 最大值: 208W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）

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AOD11S60供应商-耐智电子

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