AOI1N60

AOS | FET - 单

制造厂商：AOS（万代半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

原厂封装：TO-251-3

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AOS万代半导体公司完整型号: AOI1N60

制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 9 欧姆 @ 650mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 160pF @ 25V

功率 - 最大值: 45W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装: TO-251A

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单端场效应管

TVS - 二极管

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