AON5820

AOS | FET - 阵列

制造厂商：AOS（万代半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN

原厂封装：6-SMD，扁平引线裸焊盘

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AOS万代半导体公司完整型号: AON5820

制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 9.5 毫欧 @ 10A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1510pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.7W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-SMD，扁平引线裸焊盘

供应商器件封装: 6-DFN-EP（2x5）

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