DMG1029SV-7

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N/P-CH 60V SOT563

原厂封装：SOT-563

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Diodes公司完整型号：DMG1029SV-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 60V SOT563

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：500mA， 360mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.7 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：30pF @ 25V

功率 - 最大值：450mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：SOT-563

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DMG1029SV-7供应商-耐智电子

DIODES

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