DMG3415UFY4-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

原厂封装：DFN2015H4-3

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Diodes公司完整型号：DMG3415UFY4-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：16V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：281.9pF @ 10V

功率 - 最大值：490mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：DFN2015H4-3

耐智电子是国内领先的DMG3415UFY4-7供应商

DMG3415UFY4-7供应商-耐智电子

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