DMG6602SVTQ-7

DIODES | FET - 阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

原厂封装：SOT-23-6

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Diodes公司完整型号: DMG6602SVTQ-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.4A，2.8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 60 毫欧 @ 3.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 400pF @ 15V

功率 - 最大值: 840mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-26

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DMG6602SVTQ-7供应商-耐智电子

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