DMG8601UFG-7

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

原厂封装：8-UDFN3030

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Diodes公司完整型号：DMG8601UFG-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 6.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：143pF @ 10V

功率 - 最大值：920mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-UDFN3030

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DMG8601UFG-7供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

单端场效应管

线性稳压器芯片

栅极和逆变器芯片

可变电容二极管

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