DMG8880LK3-13

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

原厂封装：TO-252-3

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Diodes公司完整型号：DMG8880LK3-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.3 毫欧 @ 11.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1289pF @ 15V

功率 - 最大值：1.68W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

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DMG8880LK3-13供应商-耐智电子

DIODES

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