DMN100-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

原厂封装：SC-59-3

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Diodes公司完整型号：DMN100-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SC-59-3

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DMN100-7供应商-耐智电子

DIODES

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