DMN1019UFDE-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

原厂封装：原厂封装

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Diodes公司完整型号：DMN1019UFDE-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 9.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50.6nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2425pF @ 10V

功率 - 最大值：690mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN

供应商器件封装：*

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DIODES

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