DMN1019UVT-7

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 24V TSOT26

原厂封装：SOT-23-6

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Diodes公司完整型号: DMN1019UVT-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 24V TSOT26

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10.7A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 800mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 50.4nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2588pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.73W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装: TSOT-26

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DMN1019UVT-7供应商-耐智电子

DIODES

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单齐纳二极管

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