DMN1033UCB4-7

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

原厂封装：U-WLB1818-4

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Diodes公司完整型号：DMN1033UCB4-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

系列：-

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：-

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：1.45W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-UFBGA

供应商器件封装：U-WLB1818-4

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DMN1033UCB4-7供应商-耐智电子

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