DMN10H120SE-13

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

原厂封装：TO-261-4，TO-261AA

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Diodes公司完整型号: DMN10H120SE-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.6A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 110 毫欧 @ 3.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 549pF @ 50V

功率 - 最大值: 1.3W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

耐智电子是国内领先的DMN10H120SE-13供应商

DMN10H120SE-13供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

栅极和逆变器芯片

可变电容二极管

二极管TVS

阵列﹐预偏压式晶体管

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