DMN10H120SFG-13

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOIC

原厂封装：PowerDI3333-8

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Diodes公司完整型号：DMN10H120SFG-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SOIC

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：549pF @ 50V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8

耐智电子是国内领先的DMN10H120SFG-13供应商

DMN10H120SFG-13供应商-耐智电子

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