DMN10H170SFDE-7

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

原厂封装：6-UDFN

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Diodes公司完整型号: DMN10H170SFDE-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.9A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 160 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1167pF @ 25V

功率 - 最大值: 660mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: U-DFN2020-6

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