DMN13H750S-13

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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Diodes公司完整型号: DMN13H750S-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 130V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 750 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 5.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 231pF @ 25V

功率 - 最大值: 770mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

耐智电子是国内领先的DMN13H750S-13供应商

DMN13H750S-13供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

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单齐纳二极管

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