DMN2005DLP4K-7

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 300MA 6-DFN

原厂封装：6-DFN1310H4

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Diodes公司完整型号：DMN2005DLP4K-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 300MA 6-DFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：300mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，无引线

供应商器件封装：6-DFN1310H4（1.0x1.3）

耐智电子是国内领先的DMN2005DLP4K-7供应商

DMN2005DLP4K-7供应商-耐智电子

DIODES

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栅极和逆变器芯片

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DMN2005DLP4K-7是DIODES美台半导体公司的一款产品，DIODES代理商耐智电子全程提供DMN2005DLP4K-7现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的DMN2005DLP4K-7供应商。

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