DMN2014LHAB-7

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

原厂封装：6-UDFN2020

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Diodes公司完整型号：DMN2014LHAB-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 4A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1550pF @ 10V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN2020（2x2）

耐智电子是国内领先的DMN2014LHAB-7供应商

DMN2014LHAB-7供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

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