DMN2029USD-13

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

原厂封装：8-SO

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Diodes公司完整型号：DMN2029USD-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 6.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.6nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1171pF @ 10V

功率 - 最大值：1.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

耐智电子是国内领先的DMN2029USD-13供应商

DMN2029USD-13供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

单齐纳二极管

单二极管整流器

单路晶体管(BJT)

单端场效应管

DMN2029USD-13是DIODES美台半导体公司的一款产品，DIODES代理商耐智电子全程提供DMN2029USD-13现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的DMN2029USD-13供应商。

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