DMN2300UFB4-7B

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

原厂封装：3-DFN1006H4

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Diodes公司完整型号：DMN2300UFB4-7B

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：175 毫欧 @ 300mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：64.3pF @ 25V

功率 - 最大值：470mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）

耐智电子是国内领先的DMN2300UFB4-7B供应商

DMN2300UFB4-7B供应商-耐智电子

DIODES

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