DMN3016LFDE-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

原厂封装：6-UDFN2020

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Diodes公司完整型号：DMN3016LFDE-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1415pF @ 15V

功率 - 最大值：730mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN2020（2x2）

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DMN3016LFDE-7供应商-耐智电子

DIODES

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