DMN3024LSD-13

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

原厂封装：8-SO

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Diodes公司完整型号：DMN3024LSD-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：608pF @ 15V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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DMN3024LSD-13供应商-耐智电子

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