DMN3030LFG-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

原厂封装：PowerDI3333-8

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Diodes公司完整型号：DMN3030LFG-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：751pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8

耐智电子是国内领先的DMN3030LFG-7供应商

DMN3030LFG-7供应商-耐智电子

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DMN3030LFG-7是DIODES美台半导体公司的一款产品，DIODES代理商耐智电子全程提供DMN3030LFG-7现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的DMN3030LFG-7供应商。

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