DMN3033LSD-13

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

原厂封装：8-SOP

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Diodes公司完整型号：DMN3033LSD-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：725pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP

耐智电子是国内领先的DMN3033LSD-13供应商

DMN3033LSD-13供应商-耐智电子

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DMN3033LSD-13是DIODES美台半导体公司的一款产品，DIODES代理商耐智电子全程提供DMN3033LSD-13现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的DMN3033LSD-13供应商。

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