DMN3035LWN-7

DIODES | FET - 阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

原厂封装：8-PowerVDFN

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Diodes公司完整型号: DMN3035LWN-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 35 毫欧 @ 4.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 399pF @ 15V

功率 - 最大值: 770mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: V-DFN3020-8

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DMN3035LWN-7供应商-耐智电子

DIODES

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