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DMN30H4D0LFDE-7代理

DMN30H4D0LFDE-7

DIODES | FET - 单
制造厂商:DIODES(美台半导体)
功能简述:MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
原厂封装:6-UDFN
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  • Diodes公司完整型号: DMN30H4D0LFDE-7
  • 制造厂家名称: Diodes Incorporated
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 300V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 550mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4 欧姆 @ 300mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 7.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 187.3pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 630mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装: U-DFN2020-6
  • 耐智电子是国内领先的DMN30H4D0LFDE-7供应商
  • DMN30H4D0LFDE-7供应商-耐智电子
  • DIODES
    DMN3029LFG-7
  • DIODES
    DMN3110S-7
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    DDTC142TU-7
  • 单端场效应管
    ZVP4105ASTOB
  • 线性稳压器芯片
    AP2138R-3.0TRG1
  • 霍尔效应磁性传感器IC
    AH276UZ4-BG1
  • DMN30H4D0LFDE-7是DIODES美台半导体公司的一款产品,DIODES代理商耐智电子全程提供DMN30H4D0LFDE-7现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的DMN30H4D0LFDE-7供应商。

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