DMN3112S-7

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

原厂封装：SOT-23-3

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Diodes公司完整型号：DMN3112S-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 5.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：268pF @ 5V

功率 - 最大值：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3

耐智电子是国内领先的DMN3112S-7供应商

DMN3112S-7供应商-耐智电子

DIODES

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