DMN53D0LDW-13

DIODES | 场效应管阵列

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

原厂封装：SOT-363

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Diodes公司完整型号：DMN53D0LDW-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：50V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：360mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：46pF @ 25V

功率 - 最大值：310mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SOT-363

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DMN53D0LDW-13供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

电压基准芯片

运算放大器，缓冲放大器芯片

单齐纳二极管

二极管，整流器阵列

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