DMN62D1LFD-13

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

原厂封装：3-X1DFN1212

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Diodes公司完整型号：DMN62D1LFD-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：400mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 100mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.55nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：36pF @ 25V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-UDFN

供应商器件封装：3-X1DFN1212

耐智电子是国内领先的DMN62D1LFD-13供应商

DMN62D1LFD-13供应商-耐智电子

DIODES

DIODES

线性稳压器芯片

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