DMP2007UFG-13

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

原厂封装：8-PowerWDFN

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Diodes公司完整型号: DMP2007UFG-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A（Ta），40A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 5.5 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 85nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4621pF @ 10V

功率 - 最大值: 2.3W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: PowerDI3333-8

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