DMP2008UFG-13

DIODES | 单端场效应管

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 20V 12A POWERDI

原厂封装：PowerDI3333-8

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Diodes公司完整型号：DMP2008UFG-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET P-CH 20V 12A POWERDI

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta），54A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 12A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6909pF @ 10V

功率 - 最大值：2.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerDI3333-8

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DMP2008UFG-13供应商-耐智电子

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