ZXMN10A08GTA

DIODES | FET - 单

制造厂商：DIODES（美台半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

原厂封装：TO-261-4，TO-261AA

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Diodes公司完整型号: ZXMN10A08GTA

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 250 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 7.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 405pF @ 50V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

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ZXMN10A08GTA供应商-耐智电子

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