FDC6561AN

Fairchild | 场效应管阵列

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

原厂封装：6-SSOT

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Fairchild仙童公司完整型号：FDC6561AN

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

系列：PowerTrench

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.2nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：220pF @ 15V

功率 - 最大值：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：6-SSOT

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FDC6561AN供应商-耐智电子

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