FDMS3660S_F121

Fairchild | 场效应管阵列

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

原厂封装：Power56

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Fairchild仙童公司完整型号：FDMS3660S_F121

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

系列：PowerTrench

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A，30A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1765pF @ 15V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：Power56

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