FQD2N60CTM

Fairchild | 单端场效应管

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

原厂封装：TO-252-3

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Fairchild仙童公司完整型号：FQD2N60CTM

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 欧姆 @ 950mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252-3

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