MMBFJ112

Fairchild | JFET结点场效应管

制造厂商：Fairchild（仙童）

功能简述：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23

原厂封装：SOT-23-3

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Fairchild仙童公司完整型号：MMBFJ112

制造厂家名称：Fairchild Semiconductor

描述：JFET N-CH 35V 350MW SOT-23

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

电阻 - RDS（开）：50 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值：350mW

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MMBFJ112供应商-耐智电子

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