IRF1902PBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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IR公司完整型号：IRF1902PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：85 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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IRF1902PBF供应商-耐智电子

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