IRF200B211

IR | FET - 单

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

原厂封装：TO-220-3

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IR公司完整型号: IRF200B211

制造厂家名称: International Rectifier(已被英飞凌收购)

功能总体简述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

系列: HEXFET，StrongIRFET

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 7.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.9V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 790pF @ 50V

功率 - 最大值: 80W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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IRF200B211供应商-耐智电子

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