IRF6662TR1PBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

原厂封装：DIRECTFET

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IR公司完整型号：IRF6662TR1PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.3A（Ta），47A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 8.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1360pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET 等容 MZ

供应商器件封装：DIRECTFET MZ

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IRF6662TR1PBF供应商-耐智电子

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