IRF7779L2TR1PBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

原厂封装：DIRECTFET

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IR公司完整型号：IRF7779L2TR1PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：150V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：375A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6660pF @ 25V

功率 - 最大值：3.3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET 等距 L8

供应商器件封装：DIRECTFET L8

耐智电子是国内领先的IRF7779L2TR1PBF供应商

IRF7779L2TR1PBF供应商-耐智电子

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