IRFH4251DTRPBF

IR | 场效应管阵列

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

原厂封装：PQFN

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IR公司完整型号：IRFH4251DTRPBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

系列：FASTIRFET

FET 类型：2 个 N 通道（双），肖特基

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：64A，188A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1314pF @ 13V

功率 - 最大值：31W， 63W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）

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IRFH4251DTRPBF供应商-耐智电子

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