IRFH5106TR2PBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

原厂封装：PQFN

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IR公司完整型号：IRFH5106TR2PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Ta），100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：75nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3090pF @ 25V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVQFN

供应商器件封装：PQFN（5x6）

耐智电子是国内领先的IRFH5106TR2PBF供应商

IRFH5106TR2PBF供应商-耐智电子

单端场效应管

FET - 单

外部开关MOSFET，电桥驱动器

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