IRFH7185TRPBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N CH 100V 19A 8QFN

原厂封装：8-PQFN

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IR公司完整型号：IRFH7185TRPBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N CH 100V 19A 8QFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.2 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2320pF @ 50V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-PQFN（5x6）

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IRFH7185TRPBF供应商-耐智电子

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