IRFHE4250DTRPBF

IR | 场效应管阵列

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

原厂封装：32-PQFN

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IR公司完整型号：IRFHE4250DTRPBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

系列：FASTIRFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：86A，303A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.75 毫欧 @ 27A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1735pF @ 13V

功率 - 最大值：156W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：32-PowerWFQFN

供应商器件封装：32-PQFN （6x6）

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IRFHE4250DTRPBF供应商-耐智电子

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