IRFHM830TR2PBF

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

原厂封装：PQFN

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IR公司完整型号：IRFHM830TR2PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Ta），40A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2155pF @ 25V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：PQFN（3x3）

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IRFHM830TR2PBF供应商-耐智电子

单端场效应管

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