IRFHM8363TR2PBF

IR | 场效应管阵列

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

原厂封装：8-PQFN

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IR公司完整型号：IRFHM8363TR2PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1165pF @ 10V

功率 - 最大值：2.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33

耐智电子是国内领先的IRFHM8363TR2PBF供应商

IRFHM8363TR2PBF供应商-耐智电子

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