IRFSL23N15D

IR | 单端场效应管

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET N-CH 150V 23A TO-262

原厂封装：TO-262

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IR公司完整型号：IRFSL23N15D

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET N-CH 150V 23A TO-262

系列：HEXFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：150V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：23A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 25V

功率 - 最大值：3.8W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：TO-262

耐智电子是国内领先的IRFSL23N15D供应商

IRFSL23N15D供应商-耐智电子

CSR

单端场效应管

单路IGBT

专用型稳压器芯片

单端场效应管

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