IRLHS6376TR2PBF

IR | 场效应管阵列

制造厂商：IR（国际整流器Infineon）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

原厂封装：6-PQFN

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IR公司完整型号：IRLHS6376TR2PBF

制造厂家名称：International Rectifier

描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

系列：HEXFET

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 3.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：270pF @ 25V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-PQFN（2x2）

耐智电子是国内领先的IRLHS6376TR2PBF供应商

IRLHS6376TR2PBF供应商-耐智电子

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