IXFH66N20Q

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 66A TO-247

原厂封装：TO-247AD

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IXYS公司完整型号：IXFH66N20Q

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 200V 66A TO-247

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 33A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：105nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3700pF @ 25V

功率 - 最大值：400W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247AD （IXFH）

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IXFH66N20Q供应商-耐智电子

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