IXFN360N10T

IXYS | 场效应管模块

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

原厂封装：SOT-227B

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IXYS公司完整型号：IXFN360N10T

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：360A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 180A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：505nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：36000pF @ 25V

功率 - 最大值：830W

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

供应商器件封装：SOT-227B

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IXFN360N10T供应商-耐智电子

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